机译:用于地面环境的65nm CMOS 6T和8T SRAM单元的单个事件UPSET表征
机译:温度和电源电压在20nm大块平面CMOS技术上的单事件翻转特性
机译:纳米级CMOS电路中的单事件耦合软错误
机译:Xilinx UltraScale软错误缓解(SEM IP)工具的单事件翻转特性与评估
机译:单事件效应下CMOS FinFET结构的表征-基本电荷收集机制和软错误模式
机译:单花粉核的测序显示兆碱基分辨率下的减数分裂重组事件和由减数分裂过程引起的绕开偏析变形。
机译:电源电压对双阱和三阱28 nm CMOS SRAM多单元翻转软错误敏感性的影响
机译:sEU(单事件翻转)表征硬化的CmOs 64K和256K sRam。